Intel称Haswell的3D晶体管将不同于IVB

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Intel称Haswell的3D晶体管将不同于IVB
关于Haswell的工艺问题，Intel称节点仍属于22nm，不过与Ivy Bridge(网购最低价 750.0元)使用的3D晶体管并不一样。
Intel公司的CPU架构设计师Bret Toll以及Robert Chappe、首席工程师Ronak Singhal一起谈到了Haswell的缓存设计，包括提升缓存容量大小、提高缓存带宽、改善分支预测，并且在Haswell架构中设计了两组FMA(fused multiply-add)单元，新增了用于字节存储次序转换的MOVBE指令，三位专家同时也强调了架构设计以及工艺转换的重要性。


Ivy Bridge晶体管（右）
Haswell属于架构升级的Tock步骤，在宏观层次上它会使用Ivy Bridge相同的工艺，但在微观层次上Intel表示Haswell的工艺发生了很多变化，他们称“我们与晶圆制造部门的同事一起做了大量工作以确保更低的功耗，现在我们可以同时在高性能与低功耗工艺上调节。必须要说的是，不要认为(Haswell)的工艺与Ivy Bridge是一样的，工艺是在不断改进的，特别是在我们设计不同的产品的情况下。”
INQ进一步询问Haswell的工艺与Ivy Bridge到底有什么不同时，Robert Chappe回应道：“我们想保持在Ivy Bridge工艺上的一致性，具体到更低的工艺节点上，我们在同样的核心面积和功耗以及同样多的晶体管数量下有更高的晶体管分配自由度。举例来说，消耗更低的晶体管的情况下我们还可以增加一组FMA单元。
从IDF会议上的表现了看，Intel公司在处理器架构上做了相当多努力，很多设计都与22nm工艺息息相关。从Intel的介绍上看，在功能更多而物理晶体管大小相同的情况下，Haswell可能核心面积更大，晶体管数量更多。 (本文来源：天极网 更多资讯尽在web3D纳金网www.narkii.com )

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